特許
J-GLOBAL ID：200903023451184712
不揮発性メモリ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095464
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288477
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 セルアレー領域に形成されたメモリセル、セルアレー領域の周辺に位置する周辺回路領域に形成された周辺回路素子34d、セルアレー領域と周辺回路領域との間に形成されたフィールド酸化膜24及び25及びフィールド酸化膜上に、フィールド酸化膜24及び25に従って長く形成されたダミー導電パターン34cを含むことを特徴とする。従って、周辺回路領域とセルアレー領域との間に形成された基板が損傷されることを防止することにより素子間の絶縁特性を向上させうる。
請求項（抜粋）：
セルアレー領域に形成されたメモリセルと、前記セルアレー領域の周辺に位置する周辺回路領域に形成された周辺回路素子と、前記セルアレー領域と周辺回路領域との間に形成されたフィールド酸化膜と、前記フィールド酸化膜上に、前記フィールド酸化膜に従って長く形成されたダミー導電パターンを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
