半導体装置及びその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-061959
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294814
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】同一基板上に、異なる構成及び異なる特性の素子を同時に作製するプロセスを考えた場合、工程数が増えて複雑になることを鑑み、本発明では、工程数を短縮しつつ、同一基板上に構成の異なる素子を作り込んだ半導体装置及びその作製プロセスを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体装置を構成する素子の中で、素子形成時の工程数が多いメモリトランジスタに合わせて、その他の高速トランジスタや高耐性トランジスタを効率よく作製することで、工程数の増加を抑え、低コストな半導体装置を作製することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の活性層と、前記第1の活性層上の第1ゲート絶縁膜と、前記第1ゲート絶縁膜上の浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上の第2ゲート絶縁膜と、前記第2ゲート絶縁膜上の制御ゲート電極とを有する第1のトランジスタと、第2の活性層と、前記第2の活性層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を有する第2のトランジスタと、を同一基板上に有し、第2のトランジスタの前記ゲート絶縁膜は下部ゲート絶縁膜と上部ゲート絶縁膜を有し、第2のトランジスタの前記下部ゲート絶縁膜は前記第1ゲート絶縁膜と同じ層から形成され、前記上部ゲート絶縁膜は前記第2ゲート絶縁膜と同じ層から形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L21/8247 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (5件)：

H01L27/10 434 , H01L27/10 461 , H01L29/78 371 , G06K19/00 H , G06K19/00 K

Fターム (46件)：

5B035AA04 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA12 , 5F083ZA23 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD07 , 5F101BD27 , 5F101BD30 , 5F101BH09 , 5F101BH14 , 5F101BH15 , 5F101BH21

引用特許：

出願人引用 (1件)

電気光学装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-112782 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (4件)

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-307667 出願人：ソニー株式会社
浮遊ゲートを有する半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-289867 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-032706 出願人：株式会社東芝

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