特許
J-GLOBAL ID：200903053744714143

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者：
八重樫 利武

八重樫 利武 について

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清水 和裕

清水 和裕 について

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有留 誠一

有留 誠一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032706
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249579
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】製造工程数の削減、また、それに加えて高速動作性、高信頼性を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル、トランジスタを有する。メモリセルは、半導体基板101上に形成された、ゲート絶縁膜2と、浮遊ゲート層となる第1の導電体3と、制御ゲート層となる第2の導電体7と、第1の導電体と第2の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜6からなる自己整合的な二層ゲート構造を有する。トランジスタは、半導体基板上に形成された、第1の導電体上に第2の導電体とは異なる第3の導電体17を積層した構造のゲート電極を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された、ゲート絶縁膜と、浮遊ゲート層となる第1の導電体と、制御ゲート層となる第2の導電体と、前記第1の導電体と前記第2の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜からなる自己整合的な二層ゲート構造を有するメモリセルと、前記半導体基板上に形成された、前記第1の導電体上に前記第2の導電体とは異なる第3の導電体を積層した構造のゲート電極を有するトランジスタとを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (10件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/58 G
Fターム (93件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB25 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD03 ,  4M104DD66 ,  4M104DD71 ,  4M104DD91 ,  4M104EE05 ,  4M104EE08 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH12 ,  4M104HH16 ,  5F048AA05 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP34 ,  5F083EP55 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083EP78 ,  5F083EP79 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA28 ,  5F083JA04 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA06 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA08 ,  5F083ZA28 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD24 ,  5F101BD27 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21
引用特許：
審査官引用 (14件)
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