磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ、携帯端末装置、磁気ヘッド及び磁気再生装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280637
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】磁気的に安定でスイッチング磁場が低減された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。【解決手段】素子端部の幅を中央部分に比較して広くし、磁化容易軸に対して非対称かつ膜面垂直方向を軸としてほぼ回転対称な形状とする。磁気ドメインのS字型構造が安定し、スイッチング磁場が低減する。また、線状パターンエッチングの重ね合わせとEB描画を併用して上記構造を得る。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層と、この第1の強磁性層上に形成された絶縁体層と、この絶縁体層上に形成された第2の強磁性層を有し、前記絶縁体層をトンネルして前記第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にトンネル電流が流れ,そのトンネル電流または前記第1および第2の強磁性層間に生じる電圧を検出する磁気抵抗効果素子であって,その平面形状が,中央部分の幅より端部の幅が大きいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (9件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105 , H01L 43/12

FI (9件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

Fターム (28件)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (7件)

3層トンネル接合における幾何学的に増大された磁気抵抗
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-537312 出願人：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-325746 出願人：松下電器産業株式会社
磁気RAMセル内の内部非対称
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-026344 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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