特許

J-GLOBAL ID：200903023521553303

III族窒化物製品及び同製品の作製方法

発明者： ハンサー, アンドリュー, ディー. ,  リウ, リャンホン ,  プレブル, エドワード, エー. ,  ツヴェトコフ, デニス ,  ウィリアムス, ナサニエル, マーク ,  シュー, シュエピン
出願人/特許権者： キーマ テクノロジーズ, インク.
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-545630
公開番号（公開出願番号）：特表2009-519202
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：

III-V族窒化物化合物により構成される、光電子デバイス(例えば発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、及び光検出器)、及び電子デバイス(例えば高移動度電子トランジスタ(HEMT))の製造に有用な、(Al、Ga、In)N系のIII族単結晶、製品、及び膜が提供され、更には、このような結晶、製品、及び膜の作製方法が提供される。

請求項（抜粋）：

単結晶基板、 基板の上に堆積するAlN層、 AlN層の上に成長するGaN核形成層、 核形成層の上に成長するGaN遷移層、及び GaN遷移層の上に成長するGaNバルク層 を備えるバルク結晶構造。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

Fターム (34件)：

4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077FG16 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC07 ,  4G077TC10 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12

引用特許：

審査官引用 (8件)

• III族窒化物系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315955   出願人：豊田合成株式会社
• GaN系結晶成長用基板およびその用途
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-005682   出願人：三菱電線工業株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• M’Nベース物質の生成装置及び生成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-546787   出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-567830   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• III族窒化物単結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-211379   出願人：日本碍子株式会社
• III族窒化物基板の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-011571   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-098057   出願人：住友電気工業株式会社, 森勇介

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Modeling of threading dislocation reduction in growing GaN layers