薄膜圧電体素子およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-240617
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179281
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】電極金属膜間のリーク電流が少ない薄膜圧電体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】互いに対向する第1の面と第2の面を有する薄膜圧電体と、その第1の面上の第1の電極金属膜と、第2の面上の第2の電極金属膜とからなる単位積層体を少なくとも1つ備え、第1の電極金属膜と第2の電極金属膜の間に、第1の面に平行な薄膜圧電体表面からなる電極分離面を設けた。

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1の面と第2の面を有する薄膜圧電体と、前記第1の面上の第1の電極金属膜と、前記第2の面上の第2の電極金属膜とからなる単位積層体を少なくとも1つ備えた薄膜圧電体素子において、前記第1の電極金属膜と前記第2の電極金属膜の間に、前記第1の面に平行な前記薄膜圧電体表面からなる電極分離面が設けられたことを特徴とする薄膜圧電体素子。

IPC (8件)：

H01L 41/09 , B81B 3/00 , B81C 1/00 , G11B 21/10 , G11B 21/21 , H01L 41/18 , H01L 41/187 , H01L 41/22

FI (9件)：

B81B 3/00 , B81C 1/00 , G11B 21/10 N , G11B 21/21 D , H01L 41/08 C , H01L 41/08 J , H01L 41/22 Z , H01L 41/18 101 D , H01L 41/18 101 Z

Fターム (6件)：

5D059AA01 , 5D059BA01 , 5D059DA31 , 5D059EA05 , 5D096NN03 , 5D096NN07

引用特許：

審査官引用 (4件)

圧電体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-285695 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-010253 出願人：株式会社東芝
サイドローブを減少した超音波トランスジューサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-068228 出願人：アキューソンコーポレイション

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