半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142024
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332508
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】薄型でかつ小型の半導体装置の提供。【解決手段】シリコンウエハを用意し、ウエハの主面及び裏面に酸化膜を形成し、ウエハの主面に選択的に絶縁膜を形成してスルーホールを複数形成し、スルーホール底の前記酸化膜上に金属積層膜を形成するとともに、この金属積層膜上に第1金属膜及び第2金属膜を形成して金属台座を形成する。つぎに金属台座の一の金属台座の主面にダイオードを形成した半導体チップを一方の電極を介して固定し、他方の電極と他の金属台座を導電性のワイヤで接続する。ついで、半導体チップやワイヤ等を被う絶縁性樹脂層で被い、封止体の裏面に接着される酸化膜を残してシリコンウエハ及び酸化膜を除去し、樹脂層の裏面の酸化膜をエッチング除去し、樹脂層の裏面に露出する金属台座の表面に金属メッキ膜を形成し、前記樹脂層を縦横に切断して半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体内に設けられ、前記封止体の裏面に裏面を露出させる複数の金属層と、前記一の金属層の主面に裏面を介して固定され、主面に1乃至複数の電極を有する電子部品と、前記電極と前記他の金属層の主面を接続する導電性のワイヤとを有し、前記金属層の前記封止体内に位置する主面側は太くなっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/48 , H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 25/04 , H01L 25/18

FI (5件)：

H01L 23/48 P , H01L 23/48 J , H01L 23/12 501 T , H01L 23/12 501 W , H01L 25/04 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-137479 出願人：三洋電機株式会社
半導体装置用回路部材とそれを用いた半導体装置、及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-110070 出願人：大日本印刷株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-081291 出願人：株式会社三井ハイテック

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