特許
J-GLOBAL ID：200903030245514303

半導体装置の製造方法

発明者：
岡田 哲也

岡田 哲也 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-137479
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319995
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 実装面積を縮小した小型のパッケージを得ると共に、シリコン基板を用いたビアホールのない安価に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板41に埋め込まれた固着電極44aおよび取り出し電極44bを形成した後に、固着電極44a上に半導体チップ45をダイボンドし、半導体チップ45の電極46と取り出し電極44bとを電気的に接続し、絶縁性樹脂49で被覆してからシリコン基板41を裏面より除去することにより、極めて薄型で安価な微小半導体チップの実装に最適の半導体装置の製造方法が実現される
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面の予定の固着電極及び取り出し電極となる部分にトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝の少なくとも側面および底面に酸化膜を形成した後、前記トレンチ溝の底面の前記酸化膜を除去する工程と、前記トレンチ溝に埋め込まれた導電性金属よりなる前記固着電極および取り出し電極を形成する工程と、前記固着電極上に半導体チップをダイボンドし、前記半導体チップの電極と前記取り出し電極とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを含み前記シリコン基板表面を絶縁性樹脂で被覆する工程と、前記シリコン基板を裏面より除去して前記固着電極及び取り出し電極の裏面を露出する工程と、前記絶縁性樹脂をダイシングして個別の半導体素子に分離する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 23/14 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12
FI (7件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/52 C ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/14 S ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/78 L ,  H01L 23/12 L
Fターム (8件)：
5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F047AA02 ,  5F047BA52 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA04 ,  5F061CB13
引用特許：
出願人引用 (4件)
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