半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343615
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】誘電体が二つの電極によって挟まれた構造を有するキャパシタが、能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、一定容量を保持したままキャパシタの占有面積を縮小し、誘電率等のキャパシタ特性の、印加電圧方向による差異を無くし、さらに製造工程を削減することによって、高密度・高性能な半導体装置を低コストに提供する。【構成】キャパシタの誘電体110と電極112,113の接する面が、半導体基板101に垂直であり、また、キャパシタの電極が2つ同時に、しかも誘電体より前に形成され、また、誘電体の全部もしくは一部が基板上の配線層107のボンディング・パッド以外の全部または一部分を覆つている。

請求項（抜粋）：

誘電体が二つの電極によって挟まれた構造を有するキャパシタが、能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記二つの電極の有するキャパシタンスに寄与する面のうち全て、もしくは一部が、半導体基板の主面と垂直、もしくは45度以上の角をなして配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 27/108 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 325 M , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-023657
特開平3-293775
特開平4-078098

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