特許

J-GLOBAL ID：200903023722670782

半導体装置およびその作製方法

発明者： 大谷 久 ,  山崎 舜平 ,  寺本 聡 ,  小山 潤 ,  尾形 靖 ,  早川 昌彦 ,  納 光明 ,  浜谷 敏次
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326068
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312404
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 高い特性を有する薄膜トランジスタを得る。【解決手段】 非晶質珪素膜203の特定の領域205に選択的にニッケル元素を接して保持させる。そして加熱処理を施すことに結晶化させ、さらにハロゲン元素を含有した酸化性雰囲気中での加熱処理を施すことにより、熱酸化膜209を形成する。この際、結晶性の改善、ニッケル元素のゲッタリングが進行する。この結晶性珪素膜は、多数の点から放射状に結晶成長したような構造を有したものとなる。こうすることで、高い特性を有するTFTを得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタが作製された構成を有し、前記複数の薄膜トランジスタの活性層を構成する結晶性珪素膜は、多数の点から放射状に結晶成長した結晶性珪素膜を利用して構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

FI (7件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Q ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204775   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-335043   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235461   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所