化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369039
公開番号（公開出願番号）：特開2003-167345
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】表面に段差を有する基板のレジストパターニングに適した化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法において、表面に段差を有するとともに有機剥離液が付着若しくは染み込んだ基板上に、ベース樹脂100g当たり塩基性化合物を1〜100mmol添加した化学増幅型フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を成膜し、前記レジスト膜の所定の領域を露光することによってレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にベース樹脂100g当たり塩基性化合物を1mmol以上かつ100mmol以下の範囲で添加した化学増幅型フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を成膜し、前記レジスト膜の所定の領域を露光することによってレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (18件)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-250530 出願人：住友化学工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-343290 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-151737 出願人：日本電気株式会社

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