特許

J-GLOBAL ID：200903068031794535

化学増幅型ポジ型レジスト組成物

発明者： 新田 和行 ,  三村 岳由 ,  嶋谷 聡 ,  大久保 和喜 ,  松海 達也
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 棚井 澄雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347737
公開番号（公開出願番号）：特開2003-149814
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】 ビアファーストのデュアルダマシン法により半導体デバイスを製造する場合に、レジスト残りを生じず、かつ断面形状に優れるレジストパターンを与えることができる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)水酸基の水素原子の少なくとも一部が、直鎖状または分岐状の低級アルコキシアルキル基で置換され、該低級アルコキシアルキル基が酸の作用により脱離し、アルカリへの溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、(A)成分の低級アルコキシアルキル基として、互いに異なる2種以上が用いられている化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

請求項（抜粋）：

次の成分(A)及び(B)、(A)水酸基の水素原子の少なくとも一部が、直鎖状または分岐状の低級アルコキシアルキル基で置換され、該低級アルコキシアルキル基が酸の作用により脱離し、アルカリへの溶解性が増大するポリヒドロキシスチレン(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、前記(A)成分の低級アルコキシアルキル基として、互いに異なる2種以上が用いられていることを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (14件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091041   出願人：信越化学工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-195615   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-074097   出願人：東京応化工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-345754   出願人：ソニー株式会社
• シリコン窒化膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-362810   出願人：日本電気株式会社