特許
J-GLOBAL ID：200903023792664526

窒化物半導体基板及びその製造方法

発明者：
若原 昭浩

若原 昭浩 について


出願人/特許権者：
豊橋技術科学大学長

豊橋技術科学大学長 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295341
公開番号（公開出願番号）：特開2005-060195
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 窒化物半導体基板の反りの防止及び低価格化【解決手段】 単結晶基板に形成された窒化物半導体層を安価なセラミックス基板に融着させ、単結晶基板を剥離除去する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック基板、及び 該セラミック基板上に融着された、下記一般式(1)で表される窒化物半導体層 (AlxGa1-x)1-yInyN (0≦x≦1,0≦y≦1)...(1) を具備することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5件)：
C30B29/38 ,  C04B35/495 ,  C04B37/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00
FI (6件)：
C30B29/38 D ,  C04B37/00 C ,  H01L21/02 B ,  H01L21/02 C ,  H01L33/00 C ,  C04B35/00 J
Fターム (49件)：
4G026BA03 ,  4G026BA13 ,  4G026BA14 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB12 ,  4G026BB15 ,  4G026BC01 ,  4G026BD03 ,  4G026BD08 ,  4G026BE04 ,  4G026BF06 ,  4G026BF46 ,  4G026BF51 ,  4G026BF57 ,  4G026BG02 ,  4G026BG04 ,  4G026BG06 ,  4G026BG25 ,  4G026BG27 ,  4G026BG28 ,  4G026BH06 ,  4G030AA36 ,  4G030AA47 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030AA60 ,  4G030BA12 ,  4G030BA21 ,  4G030CA07 ,  4G030CA08 ,  4G030GA32 ,  4G030GA33 ,  4G030GA34 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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