特許
J-GLOBAL ID：200903023827712235
エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081259
公開番号（公開出願番号）：特開2004-289005
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】半絶縁層の抵抗率が低く、半導体素子として有効に利用できるエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル基板は、基板1と、基板1上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層2と、下地層2上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層3とを備えている。第一の窒化物半導体において、III属元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が200秒以下である。第二の窒化物半導体が、Gaを含み、比抵抗が104Ω・cm以上である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層とを備えており、前記第一の窒化物半導体において、III族元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が200秒以下であり、前記第二の窒化物半導体が、Gaを含み、比抵抗が104Ω・cm以上であることを特徴とする、エピタキシャル基板。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ09
, 5F102GJ10
, 5F102GK00
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
