特許

J-GLOBAL ID：200903062741042259

半導体素子

発明者： 柴田 智彦 ,  小田 修 ,  浅井 圭一郎 ,  田中 光浩
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-163592
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359255
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】設計値どおりに十分高い性能指数を発揮することが可能な、電子デバイスなどの半導体素子を提供する。【解決手段】抵抗率が1×105Ωcm以下の導電性SiCからなる基材1上に、少なくともAlを含む窒化物半導体からなる下地層2を、好ましくは2μm以上の厚さに形成する。そして、下地層2上に、素子としての機能を果たし、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む、例えば導電層3などから構成される窒化物半導体層群を形成する。

請求項（抜粋）：

抵抗率が1×105Ωcm未満の導電性SiCからなる基材と、この基材上に形成された、少なくともAlを含む窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む窒化物半導体層群とを具えることを特徴とする、半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/72 H

Fターム (21件)：

5F003BA01 ,  5F003BA92 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BM01 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235336   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-192625   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-315860   出願人：松下電器産業株式会社