特許
J-GLOBAL ID：200903023888573700

マイクロ波導入器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置

発明者：
イヴァン ペトロフ ガナシェフ

イヴァン ペトロフ ガナシェフ について

, 
島谷 幸平

島谷 幸平 について


出願人/特許権者：
芝浦メカトロニクス株式会社

芝浦メカトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043194
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220638
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】プラズマ密度に依存しないインピーダンスを有しかつ導波体の長さを短くしてもマイクロ波吸収率(パワー吸収率)が低下しないマイクロ波導入器、これを備えたプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】プラズマを生成する空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、前記チャンバの壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する誘電体の導波体を備え、前記導波体は、先端に向けて断面寸法が徐々に小さくなる形状を有し、かつその表面には前記導波体の実効的な誘電率に影響を及ぼす凹凸部が形成されていることを特徴とするマイクロ波導入器を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマを生成する空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、 前記チャンバの壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する誘電体の導波体を備え、 前記導波体は、先端に向けて断面寸法が徐々に小さくなる形状を有し、かつその表面には前記導波体の実効的な誘電率に影響を及ぼす凹凸部が形成されていることを特徴とするマイクロ波導入器。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H05H1/46 B ,  C23C16/511 ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/205
Fターム (15件)：
4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045AA09 ,  5F045BB01 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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