特許

J-GLOBAL ID：200903023919732682

受光素子および回路内蔵型受光装置および光ディスク装置

発明者： 林田 茂樹 ,  森岡 達也 ,  谷 善彦 ,  大久保 勇 ,  和田 秀夫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394221
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197949
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 高速化と高感度化の両立ができる受光素子を提供すること。【解決手段】 P型シリコン基板100上に、P型拡散層101と、P型半導体層102と、受光部となるN型拡散層103と、光透過性膜104とを備える。N型拡散層103は、400nm波長の入射光の吸収長よりも大きい0.8μm〜1.0μm程度の厚みを有すると共に、不純物濃度が表面において1E19cm-3以下であって、この表面近傍の不純物濃度がピークである濃度プロファイルを有する。入射光により発生したキャリアのN型拡散層103の表面付近での再結合が防止されて受光素子の感度が向上すると共に、接合深さが深くて低抵抗のN型拡散層103によって応答速度が向上する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層上に、第2導電型の半導体層を有する受光素子において、上記第2導電型の半導体層の厚みは、この第2導電型の半導体層に入射する光の吸収長よりも大きく、かつ、上記第2導電型の半導体層は、表面近傍の不純物濃度が、1E17cm-3以上1E19cm-3以下であることを特徴とする受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  G11B 7/13 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

G11B 7/13 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z

Fターム (39件)：

4M118AB02 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  5D119AA09 ,  5D119AA10 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119DA05 ,  5D119EA02 ,  5D119EA03 ,  5D119FA05 ,  5D119KA02 ,  5D119KA13 ,  5D119KA20 ,  5D119KA43 ,  5D789AA09 ,  5D789AA10 ,  5D789BA01 ,  5D789BB01 ,  5D789DA05 ,  5D789EA02 ,  5D789EA03 ,  5D789FA05 ,  5D789KA02 ,  5D789KA13 ,  5D789KA20 ,  5D789KA43 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NB08 ,  5F049PA15 ,  5F049QA03 ,  5F049SS03 ,  5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 受光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-109765   出願人：シャープ株式会社
• 受光素子および回路内蔵型受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-252332   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭60-110177
  
• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-318170   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• "High quantum efficiency p+-π-n--n+ silicon photodiode"
• "Shallow-Junction Formation on Silicon by Rapid Thermal Diffusion of Impurities from a Spin-on Sourc