特許
J-GLOBAL ID：200903023982991043
ウェハのアライメント方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138398
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320944
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】平坦化されたアライメントマークでも高精度に検出し、アライメントの精度を向上させるウェハのアライメント方法を提供する。【解決手段】配線用の金属(Cu)が埋め込まれた平坦化されたアライメントマーク13がウェハ11上の絶縁膜12上に形成されている。ウェハ11を帯電させることにより、Siウェハ11の表面をチャージアップさせる。これにより、アライメントマーク13のCuに帯電している電子の量とその近傍の電子の量との検出の差を利用してアライメントマーク13の位置を認識する。
請求項（抜粋）：
ウェハ表面の所定領域に金属が埋め込まれてなるアライメントマークに対し、前記ウェハ表面をチャージアップさせ、前記アライメントマークに帯電している電荷量と前記アライメントマーク近傍の電荷量との差を検出することにより前記アライメントマークの位置を認識し、前記アライメントマークの位置に従って前記ウェハ位置を調整することを特徴としたウェハのアライメント方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 21/68
, H01L 21/3205
H01L 21/30 522 Z
, H01L 21/68 F
, H01L 21/88 S
