特許
J-GLOBAL ID：200903024007108348

半導体装置及びその製造方法

発明者：
北 明夫

北 明夫 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039616
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242417
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 微細化において必要となる容量値を得ることができ、高密度化を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、シリンダー状のストレージ電極の底面及び外周部が、表面に微細な凹凸をもった粗面ポリシリコン(粗面導体)からなるストレージノードポリシリコン17,19によって構成されたキャパシタ構造を有し、キャパシタ電極をシリンダー状に加工し、さらにその底部と外周部に実効表面積の大きな粗面ポリシリコンにより構成する。
請求項（抜粋）：
キャパシタ電極を備えたキャパシタ構造を有する半導体装置において、前記キャパシタ電極は、底つきの円筒状に加工された導体の内側底面部と、外周側壁部とを備たキャパシタ構造であり、前記底面部及び前記側壁部は、粗面導体により構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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