特許
J-GLOBAL ID：200903024040043260
偏光リソグラフィーのためのオーバーレイターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-238194
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096292
出願日： 2006年09月01日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】偏光リソグラフィーにおいて使用するためのターゲットおよびその使用方法。【解決手段】参照用層の上に位置する第1構造部と、第2層の上に位置する第2構造部とを含む。上記第1構造部が上記第2層を通して可視となるように上記第2層は光透過性を備えている。上記第2構造部は、複数の各サブ構造部を有するフォトマスクから形成される。上記複数の各サブ構造部の全ての各サブ構造部は、第1の配向方向に配向されている。上記第2層上に上記第2構造部をパターニングするために偏光が使用され、上記偏光は、上記第1配向方向と同じ偏光方向を有している。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの各層の位置合せに用いるためのオーバーレイターゲットであって、
参照用層の上に位置する第1構造部と、
第2層の上に位置する第2構造部とを含み、
上記第1構造部が上記第2層を通して可視となるように上記第2層は光透過性を備えており、
上記第2構造部は、複数の各サブ構造部を有するフォトマスクから形成され、
上記複数の各サブ構造部の全ての各サブ構造部は、第1の配向方向に配向され、
上記第2構造部は、上記第1配向方向と同じ偏光方向を有している偏光を用いたパターニングにより上記第2層上に形成されているオーバーレイターゲット。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 1/08
H01L21/30 502M
, G03F7/20 521
, G03F1/08 M
2H095BE03
, 2H095BE09
, 2H095BE10
, 5F046EA03
, 5F046EA09
, 5F046EA26
, 5F046EB01
, 5F046EB02
, 5F046ED01
, 5F046FA20
