特許
J-GLOBAL ID：200903024085742568
DC/DCコンバータ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-191551
公開番号（公開出願番号）：特開2005-027453
出願日： 2003年07月04日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】高効率でかつ従来にない小型のDC/DCコンバータを提供する。【解決手段】コレクタ端子が入力の一方の端子に接続されたトランジスタと、一方の端子が前記トランジスタのエミッタ端子に接続されたインンダクタLと、一方の端子が前記インダクタLの他方の端子及び出力の一方の端子に接続された平滑コンデンサCと、前記トランジスタのエミッタ端子にカソード端子を接続されたダイオードDと、前記ダイオードDのアノード端子及び前記平滑コンデンサCの他方の端子及び入力の他方の端子及び出力の他方の端子が共通に接続されたコモン端子を備えたDC/DCコンバータにおいて、前記トランジスタはベース層に所定濃度分布のGeを含むバイポーラトランジスタからなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
コレクタ端子が入力の一方の端子に接続されたトランジスタと、一方の端子が前記トランジスタのエミッタ端子に接続されたインンダクタと、一方の端子が前記インダクタの他方の端子及び出力の一方の端子に接続された平滑コンデンサと、前記トランジスタのエミッタ端子にカソード端子を接続されたダイオードと、前記ダイオードのアノード端子及び前記平滑コンデンサの他方の端子及び入力の他方の端子及び出力の他方の端子が共通に接続されたコモン端子を備えたDC/DCコンバータにおいて、前記トランジスタはベース層に所定濃度分布のGeを含むバイポーラトランジスタであることを特徴とするDC/DCコンバータ。
IPC (3件)：
H02M3/155
, H01L21/331
, H01L29/737
H02M3/155 S
, H01L29/72 H
5F003BB01
, 5F003BB04
, 5F003BB05
, 5F003BC04
, 5F003BE04
, 5F003BF03
, 5F003BF06
, 5F003BG03
, 5F003BG06
, 5F003BJ99
, 5F003BM01
, 5F003BP31
, 5H730AA10
, 5H730AA14
, 5H730AA15
, 5H730BB03
, 5H730BB13
, 5H730BB72
, 5H730DD03
, 5H730EE08
