特許
J-GLOBAL ID：200903080562798772

半導体装置及びその製造方法

発明者：
山縣 秀夫

山縣 秀夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346415
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151985
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 エミッタからベース電極間の抵抗が低減され、高速動作が可能であり、高性能のバイポーラトランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基体上に、シリコン層9A,9Cとシリコン及び他の第IV族元素を有する層9Bにより成るシリコン混晶層9によって形成されたエピタキシャルベース領域を有するバイポーラトランジスタが形成されて成り、シリコン混晶層9のうちベース引出し電極部となる部分の上に、多結晶シリコン膜10を介してシリサイド11が形成されて成る半導体装置を構成する。また、この半導体装置を製造する際に、半導体基体上に絶縁膜5,8を形成し、この絶縁膜5,8のバイポーラトランジスタの形成領域に形成した開口を含むようにシリコン混晶層9をエピタキシャル成長により形成し、このシリコン混晶層9のベース引出し電極部となる部分の上に多結晶シリコン膜10を形成し、多結晶シリコン膜10の表面にシリサイド11を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に、エピタキシャル層から成るベース領域を有するバイポーラトランジスタが形成されて成る半導体装置であって、シリコン層とシリコン及び他の第IV族元素を有する層により成るシリコン混晶層によって、上記エピタキシャル層から成るベース領域が形成され、上記シリコン混晶層から成る上記ベース領域のうち、ベース引出し電極部となる部分の上に、多結晶シリコン膜を介してシリサイドが形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/737
FI (2件)：
H01L 29/72 H ,  H01L 29/72 S
Fターム (17件)：
5F003AP00 ,  5F003BA11 ,  5F003BB05 ,  5F003BB07 ,  5F003BC07 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BM01 ,  5F003BP11 ,  5F003BP21 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41
引用特許：
審査官引用 (4件)
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