特許
J-GLOBAL ID：200903015480580047

面発光型半導体レーザ及びその製造方法ならびにその製造装置

発明者：
中山 秀生

中山 秀生 について

, 
坂本 朗

坂本 朗 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (2件)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201594
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047636
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】Alを含むIII-V族半導体層の酸化反応を精度良く制御することが可能な面発光型半導体レーザの製造方法を提供する【解決手段】基板上にAlを含むIII-V族半導体層の側面を露出させた第1、第2のメサ(210、310)を形成し、第1、第2のメサを所定温度以下の酸化雰囲気に晒し、前記第1のメサのAlを含むIII-V族半導体層の酸化状態を光学的に監視し、その監視結果に基づき前記第2のメサのAlを含むIII-V族半導体層の酸化領域を制御して前記電流狭窄部(10)を形成する工程を備える。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
メサ構造のレーザ素子部を備えた面発光型半導体レーザの製造方法であって、 第1導電型の第1の反射ミラー層、前記第1の反射ミラー層上の活性領域、Alを含むIII-V族半導体層、および前記活性領域上に第2導電型の第2の反射鏡を含む複数の半導体層と、酸化可能領域を有するモニター用半導体とを基板上に形成し、 前記基板上の半導体層をエッチングし、前記Alを含むIII-V族半導体層の側面が露出されるように前記基板上にメサ構造を形成し、 前記Alを含むIII-V族半導体層を前記側面より酸化速度(S)で酸化を開始し、 前記モニター用半導体の反射率または反射率の変化を監視し、該反射率または反射率の変化が所定値に到達した時点から一定時間(T)経過後に前記Alを含むIII-V族半導体層の酸化を停止させる、工程を備えた面発光型半導体レーザの製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/66 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183
FI (6件)：
H01L21/66 Y ,  H01L21/66 Q ,  H01L21/31 E ,  H01S5/026 612 ,  H01S5/183 ,  H01L21/302 105A
Fターム (45件)：
4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106AB10 ,  4M106BA04 ,  4M106BA08 ,  4M106CA17 ,  4M106CA19 ,  4M106CA70 ,  4M106CB30 ,  4M106DH04 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DJ13 ,  5F004BD03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB00 ,  5F004DB20 ,  5F004DB21 ,  5F004EA06 ,  5F004EA37 ,  5F004EB04 ,  5F004EB08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF11 ,  5F045AF16 ,  5F045AF20 ,  5F045BB02 ,  5F045CA12 ,  5F045CB05 ,  5F045DC61 ,  5F045EE03 ,  5F045GB09 ,  5F045GB10 ,  5F045HA03 ,  5F073AA73 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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