パワー半導体モジュール及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤田アキラ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-343825
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167241
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】パワー半導体モジュール並びにそれに付属する製造方法を紹介する。【解決手段】モジュールは基板(300)とこの基板上に回路に適して配設されている導体パス(310)とこれらの導体パス上に配設されているパワー半導体素子(202、204)とから成る。導体パス(310)上にはスペーサ要素(206)と、2つの金属フォイル層(110、130)とこれらの間に配設されている電気絶縁フォイル層(120)とから成るフォイル結合体(100)とが配設されている。このフォイル結合体は接触ノブ(140)と通過接触部(122)とを有する。金属フォイル層(110、130)の少なくとも1つは回路に適して構造化(112、132)されていて、フォイル結合体(100)はパワー半導体素子(202、204)とスペーサ要素(206)と超音波溶接を用いて永続的に結合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの基板(300)と、この基板上に回路に適して配設されている導体パス(310)と、これらの導体パス上に配設されているパワー半導体素子(202、204)と、同様にこれらの導体パス上に配設されているスペーサ要素(206)と、少なくとも1つのフォイル結合体(100)とを有し、このフォイル結合体(100)が、少なくとも2つの金属フォイル層(110、130)であってこれらの金属フォイル層間に配設されている各々の電気絶縁フォイル層(120)を備えた金属フォイル層から成る、パワー半導体モジュールにおいて、フォイル結合体(100)が接触ノブ(140)と通過接触部(122)とを有し、金属フォイル層(110、130)の少なくとも1つが回路に適して構造化(112、132)されていて、このフォイル結合体(100)がパワー半導体素子(202、204)とスペーサ要素(206)と超音波溶接を用いて永続的に結合されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (5件)：

H01L25/07 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L25/18 , H02M7/48

FI (4件)：

H01L25/04 C , H01L21/60 321E , H01L21/607 B , H02M7/48 Z

Fターム (4件)：

5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007HA03 , 5H007HA04

引用特許：

出願人引用 (11件)

ドイツ特許出願公開第10121970号明細書
ドイツ特許出願第10258565号明細書
ドイツ特許発明第19617055号明細書

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審査官引用 (6件)

サンドイッチ構造のマイクロエレクトロニクス構成部材
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-516126 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
超音波接合方法及び接合構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-203426 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置用パッケージおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-087416 出願人：日本電気株式会社

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