パワー半導体モジュール

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-402127
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203942
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】セラミック基板,金属ベースの材質,寸法、および接合材料,接合方法を最適化してパワー半導体モジュールの信頼性向上と長寿命化を図る。【解決手段】金属ベース1,セラミック基板2,パワー半導体チップ9の回路組立体に、端子一体形パッケージを組合せたモジュールで、セラミック基板がセラミック板8aの両面に表回路板8b,裏板8cを接合した構造になり、金属ベースとセラミック基板を半田付けしたものにおいて、金属ベースは、熱伝導率250W/mK以上の銅,銅合金で、その板厚を3.9〜6mmとし、セラミック基板は、セラミック板の板厚0.1〜0.65mm、表回路板,裏板の厚さを0.1〜0.5mmとして、その外形サイズを最大50mm×50mm、縦横比を1:1〜1:1.2の範囲に規定し、融点が183〜250°Cの半田を用い、その層厚さを0.1〜0.3mmにして金属ベースとセラミック基板とを半田接合する。

請求項（抜粋）：

ヒートシンクとしての金属ベースと、セラミック基板に半導体チップを実装して前記金属ベースの上に搭載した回路組立体と、端子一体形の外囲ケースを組合せて構成したパワー半導体モジュールであり、前記セラミック基板がセラミック板の表,裏両面に金属からなる表回路板および裏板を接合した構造になり、かつ金属ベースとセラミック基板の裏板との間を半田接合したものにおいて、金属ベースは、材質が熱伝導率が250W/mK以上の銅もしくは銅合金で、その板厚を3.9mm以上6mm以下とし、セラミック基板は、セラミック板の厚さを0.1mm以上0.65mm以下、表回路板および裏板の厚さを0.1mm以上0.5mm以下として、該基板の外形サイズを最大50mm×50mm、その縦横比を1:1〜1:1.2の範囲に規定し、半田には融点が183〜250°Cの半田を用い、かつ半田層の厚さを0.1mm以上0.3mm以下にして金属ベースとセラミック基板とを半田接合して組立てたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 25/04 C , H01L 23/12 J

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-139341 出願人：富士電機株式会社
パワー半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-109970 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-254811 出願人：株式会社東芝

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