特許
J-GLOBAL ID：200903024225290166

有機半導体の離散的領域を有する半導体膜、及びその製造方法

発明者：
デイビット ラッセル

デイビット ラッセル について

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トーマス クグラー

トーマス クグラー について

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クリストファー ニューサム

クリストファー ニューサム について

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シュンプ リー

シュンプ リー について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-254973
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110105
出願日： 2006年09月20日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】電荷担体の移動度の高い半導体膜を安価に製造する方法を提供する。【解決手段】半導体膜を製造する方法を提供するものであり、第1の有機半導体及び第2の有機半導体を含む溶液を基板の表面に付与する第1の工程を有する。溶液は乾燥され、半導体膜が形成される。半導体膜は第1の有機半導体の離散的領域を含んでおり、その離散的領域は第2の有機半導体のマトリクスの中に存在する。このマトリクスは互いに隣接する離散的領域同士を電気的に接続する。第1及び第2の有機半導体は同一の導電型を有しており、第1の有機半導体の離散的領域における電荷担体の移動度は第2の有機半導体のマトリクスにおける電荷担体移動度より高い。 他の形態においては、本発明は類似の半導体膜製品を製造する方法を提供する。第1の有機半導体の溶液は第2の有機半導体の溶液と別に塗布される。そして乾燥後は離散的領域が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(i)第1の有機半導体と、第2の有機半導体又は後者の前駆体とを含む溶液を、基板の表面に付与する工程と、 (ii)前記溶液を乾燥させ、隣接する前記第1の有機半導体の離散的領域同士を電気的に接続する第2の有機半導体のマトリクス中に前記第1の有機半導体の前記離散的領域を有する半導体膜を形成する工程と、を有し、 前記第1及び第2の有機半導体は、同一の導電型であり、 前記第1の有機半導体の前記離散的領域における電荷担体移動度は前記第2の有機半導体の前記マトリクスにおける電荷担体移動度より高いことを特徴とする半導体膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 51/40 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 21/368 ,  H01L 51/50
FI (7件)：
H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28 100A ,  H01L21/368 L ,  H05B33/14 A
Fターム (32件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  3K107GG08 ,  3K107HH05 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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