特許
J-GLOBAL ID：200903024236366946
炭素物質、炭素物質の製造方法及び電子放出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-100114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240403
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：
【要約】【課題】 電子放出素子に適した炭素物質を提供すること。【解決手段】 CVD法を用いて、電気炉109によって所定温度に加熱されたチャンバ108内に、Cuによって形成された基材上にNiを被着して成る基板110を配設し、C2H4を供給すると共にフィラメント107を所定温度に加熱することにより、炭素によって構成され線径が1nm〜2μmで少なくとも一部が螺旋状に形成された炭素物質を製造する。
請求項（抜粋）：
炭素によって構成され線径が1nm〜2μmで少なくとも一部が螺旋状に形成された炭素物質。
IPC (4件)：
C01B 31/02 101
, D01F 9/127
, H01J 1/30
, H01J 1/304
C01B 31/02 101 Z
, D01F 9/127
, H01J 1/30 A
, H01J 1/30 F
4G046CA02
, 4G046CB01
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 4G046CC08
, 4L037AT02
, 4L037CS03
, 4L037CS10
, 4L037CS11
, 4L037CS17
, 4L037CS38
, 4L037FA03
, 4L037FA05
, 4L037PA03
, 4L037PA12
, 4L037UA20
, 5C035BB01
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
