特許
J-GLOBAL ID:200903024236366946

炭素物質、炭素物質の製造方法及び電子放出素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大塚 秀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-100114
公開番号(公開出願番号):特開2001-240403
出願日: 2000年02月25日
公開日(公表日): 2001年09月04日
要約:
【要約】【課題】 電子放出素子に適した炭素物質を提供すること。【解決手段】 CVD法を用いて、電気炉109によって所定温度に加熱されたチャンバ108内に、Cuによって形成された基材上にNiを被着して成る基板110を配設し、C2H4を供給すると共にフィラメント107を所定温度に加熱することにより、炭素によって構成され線径が1nm〜2μmで少なくとも一部が螺旋状に形成された炭素物質を製造する。
請求項(抜粋):
炭素によって構成され線径が1nm〜2μmで少なくとも一部が螺旋状に形成された炭素物質。
IPC (4件):
C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127 ,  H01J 1/30 ,  H01J 1/304
FI (4件):
C01B 31/02 101 Z ,  D01F 9/127 ,  H01J 1/30 A ,  H01J 1/30 F
Fターム (17件):
4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4L037AT02 ,  4L037CS03 ,  4L037CS10 ,  4L037CS11 ,  4L037CS17 ,  4L037CS38 ,  4L037FA03 ,  4L037FA05 ,  4L037PA03 ,  4L037PA12 ,  4L037UA20 ,  5C035BB01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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