特許
J-GLOBAL ID：200903024257859829
磁気抵抗装置および磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327149
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191142
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 特に再生動作中不所望な磁壁の形成を効果的に防ぐ。【解決手段】 装置の活性領域にかけて実質的に均一な電流の流れを与えることによって磁気の安定性を高めるために改良された導体のジオメトリを組み入れる磁気抵抗(「MR」)装置(60)が提供される。1対の電流導体が磁気抵抗装置(60)と電気的に接触して設けられ、磁化容易軸に対して90°未満の角度で磁気抵抗装置に電流を与えるように構成される。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗装置であって、活性領域の縦方向に延びる磁化容易軸を与える磁気抵抗層と、前記磁気抵抗層の下にあり、そこに横方向バイアスを与えるための柔らかい隣接層と、前記磁気抵抗層と前記柔らかい隣接層との間に挟まれた磁気間隔層と、前記磁気抵抗装置と電気的に接触する第1および第2の電流導体とを含み、前記第1および第2の電流導体は前記磁化容易軸に対して90°未満の角度で前記磁気抵抗装置に電流を与えるように構成される、磁気抵抗装置。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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