特許
J-GLOBAL ID：200903024346830362

半導体発光素子、半導体発光装置および製造方法

発明者：
亀井 英徳

亀井 英徳 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-252084
公開番号（公開出願番号）：特開2008-078169
出願日： 2006年09月19日
公開日（公表日）： 2008年04月03日
要約：
【課題】面積の大きな窒化ガリウム系の基板を用いたLEDにおいては、基板が有している転位束の影響を、n型層、活性層、p型層が継承し、その表面にピットと呼ばれる穴が形成されてしまう場合がある。ピットが存在する状態でp側電極およびn側電極を形成すると電極間で電流リークが生じてしまうという課題があった。【解決手段】基板12上に下地層14をさらに形成し、その下地層中に六角錐状の結晶領域16の頂点15が含まれるようにする。このようにすることで、基板に存在する転位束の影響が発光層に及ばないようにし、ピットの発生を抑制する。従って電流リークの発生が抑制され、歩留まりを高くすることが出来る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に下地層を形成した基板と、 前記下地層の上に形成されたn型半導体層、活性層およびp型半導体層とを有し、 前記下地層には、前記基板上の転位ピットを底面に有する六角錘状の結晶領域を含む半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (6件)：
5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041DA20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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