α-SiCのヘテロエピタキシャル薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292283
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095795
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 α-SiCターゲットと高温ヒータ及び耐高温特性を持つ基板を用いるパルスレーザアブレーション方法により、α-SiCのヘテロエピタキシャル等の結晶性薄膜と積層薄膜の作製方法、及び同方法で作製した薄膜と積層薄膜を提供する。【解決手段】 α-SiCターゲットと800-1300°C領域の高温まで基板を加熱できる基板加熱機構を用いるパルスレーザアブレーション方法による成膜方法と、SiC及び基板ホルダーと反応しないSi、サファイア、MgO等の単結晶基板や石英ガラス基板等を用いて、高温型(α-)SiCのエピタキシャルや一軸配向及び多結晶性の薄膜や、他の元素の微量添加により半導体化させたSiCや他の半導体等との多層積層薄膜を同基板上に作製することを特徴とする結晶性薄膜や多層積層薄膜の作製方法と、同方法によりそれら基板面上に作製してなるα-SiCの結晶性薄膜及び多層積層薄膜。

請求項（抜粋）：

パルスレーザをターゲット物質に照射してその物質を瞬間・パルス的にイオンやクラスター等の微粒子に分解・剥離(アブレーション)させ、それを高温に温度制御した炭化ケイ素(SiC)以外の無機の単結晶基板ないしガラス基板に当てて堆積させ、その基板上にターゲット物質の薄膜を作製する方法であって、高温型(α)炭化ケイ素(α-SiC)のターゲットないし他の元素の微量添加によりp型及びn型に半導体化させたα-SiCのターゲットを用いて、あるいはα-SiCのターゲットとα-SiCの半導体化に要する元素ないし化合物のターゲットとを交互にないし同時に用いて、アブレーションさせて基板上にα-SiC結晶を再構築することにより、それらの単結晶性(エピタキシャル)薄膜(ヘテロ結晶性薄膜)、一軸配向性薄膜ないし多結晶性薄膜を作製することを特徴とする薄膜の作製方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 , C23C 14/06 , C23C 14/28 , H01L 21/203

FI (4件)：

C30B 29/36 A , C23C 14/06 E , C23C 14/28 , H01L 21/203 Z

Fターム (30件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DA03 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA06 , 4K029AA04 , 4K029AA06 , 4K029AA07 , 4K029AA09 , 4K029BA41 , 4K029BA51 , 4K029BA56 , 4K029BB02 , 4K029BB09 , 4K029CA01 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 5F103AA10 , 5F103BB23 , 5F103BB42 , 5F103BB55 , 5F103DD17 , 5F103GG01 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103HH08 , 5F103NN01 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭50-099683
特開昭50-099683
レーザアブレーション法を用いた成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-191232 出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社

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