特許
J-GLOBAL ID：200903024391211703

真空紫外光CVD装置

発明者：
歳川 清彦

歳川 清彦 について

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本山 理一

本山 理一 について

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本川 洋右

本川 洋右 について

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八木 裕輔

八木 裕輔 について

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横山 哲郎

横山 哲郎 について

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宮野 淳一

宮野 淳一 について

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市木 豊

市木 豊 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

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宮崎沖電気株式会社

宮崎沖電気株式会社 について

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有限会社宮崎マシンデザイン

有限会社宮崎マシンデザイン について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372698
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176046
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ1の表面全体に均一な薄膜を形成することができる真空紫外光CVD装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1の表面に均一な照度分布の真空紫外光を照射するランプハウス15と、ガラス窓14との間に、この半導体ウエハ1の中央部における照度を低下させるための遮光マスク19を配置する。これにより、半導体ウエハ1の中央部に濃い濃度で滞留する原料ガス2の真空紫外光による分解量が減少し、この半導体ウエハ11の表面に形成される薄膜の厚さが均等化され、表面全体に均一な薄膜が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを載せるステージと、原料ガスを内部に注入する注入口及び排ガスを外部に排出する排気口を有すると共に前記ステージ及び半導体ウエハを外気から遮蔽する処理容器と、前記ステージに載せられた半導体ウエハの表面に均一な照度で真空紫外光を照射するランプとを備えた真空紫外光CVD装置において、前記ランプと前記半導体ウエハが搭載された前記ステージ間に前記真空紫外光の一部を遮る遮光マスクを設けたことを特徴とする真空紫外光CVD装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/48
FI (2件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/48
Fターム (25件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030FA08 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  5F045AA11 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AF01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EG02 ,  5F045EK12 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 特開平4-162516
  • 特開平4-162516
  • 枚葉式の熱処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-304782   出願人：東京エレクトロン株式会社
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