窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077476
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】転位密度が低く、かつ基板とエピタキシャル成長膜との電気的コンタクトが良好となるエピタキシャル成長を行う基板面(以下、成長面)を有する窒素化合物半導体基板を得る。これにより、電気的特性が向上し、かつ、寿命特性を損なわない発光素子を形成する。【解決手段】窒素及びガリウムを主成分とする窒素化合物半導体を基板とし、該基板上に窒素化合物半導体よりなる発光素子を形成する窒素化合物半導体発光素子において、前記窒素化合物半導体基板中に、不純物として第VII族に属する元素を含有させる。また、電気伝導特性を制御する不純物を含有する。

請求項（抜粋）：

窒素及びガリウムを主成分とする窒素化合物半導体を基板とし、該基板上に窒素化合物半導体よりなる発光素子を形成する窒素化合物半導体発光素子において、前記窒素化合物半導体基板中に、不純物として第VII族に属する元素を含有させることを特徴とする窒素化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (54件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA54 , 5F041CA56 , 5F041CA57 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF11 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA58 , 5F045DA59 , 5F045DQ06 , 5F045DQ08 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073EA23 , 5F073EA28 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (9件)

エピタキシャルウェハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-078333 出願人：住友電気工業株式会社
窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050859 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335580 出願人：エルジー電子株式会社

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