特許

J-GLOBAL ID：200903024399034673

薄膜半導体装置、電子機器及び製造方法

発明者： 小平 泰明 ,  宇都宮 純夫
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273536
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227875
出願日： 2006年10月05日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】高い信頼性を確保できる薄膜回路装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、上記基板上に形成された、薄膜素子を含む素子領域を有する薄膜回路層と、上記薄膜回路層の端部と上記素子領域との間に介在するように上記薄膜回路層に設けられた、周囲よりも相対的に機械的強度の低い低強度領域と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された、薄膜素子を含む素子領域を有する薄膜回路層と、 前記薄膜回路層の端部と前記素子領域との間に介在するように前記薄膜回路層に設けられた、周囲よりも相対的に機械的強度の低い低強度領域と、 を備える薄膜回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L27/12 B ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/78 627D

Fターム (27件)：

5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315590   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平3-283637
  
• 半導体装置の製造方法および半導体装置および半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-241499   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-230056   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-119164   出願人：ソニー株式会社