特許
J-GLOBAL ID：200903023677792219

半導体装置製造方法および半導体装置

発明者：
徳重 信明

徳重 信明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-230056
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071874
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】フレキシブルな半導体装置を下地基板に接することなく形成することができる半導体層地製造方法を提供する。【解決手段】(a)下地基板11上に絶縁膜12を形成する工程と、(b)絶縁膜12上に半導体層16を形成する工程と、(c)半導体層16上にフレキシブル基板17を接着する工程と、(d)下地基板11と半導体層16とを絶縁膜12部分にて分離する工程とからなり、下地基板11に接しないようにしてフレキシブルな半導体層16を形成し、さらにフレキシブル基板17を接着する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
(a)下地基板上に絶縁膜を形成する工程と、 (b)絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、 (c)半導体層上にフレキシブル基板を接着する工程と、 (d)下地基板と半導体層とを絶縁膜部分にて分離する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L27/12 E ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627G
Fターム (28件)：
5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F052KB09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (8件)
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