特許
J-GLOBAL ID:200903024538677460

基板を持たない低コストパワー半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-005156
公開番号(公開出願番号):特開2001-237369
出願日: 2001年01月12日
公開日(公表日): 2001年08月31日
要約:
【要約】【課題】 絶縁および熱対策のために基板が必要であるが高価となる。【解決手段】 低電圧用途のためのパワーモジュールであり、絶縁された金属基板を持たない。そのモジュールは、パワーシェルおよび多数のリードフレームを含み、それらの各リードフレームは、一つまたは複数のMOSFETが電気的に装着される導電性パッドを含む。そのMOSFETはワイヤー接続により電気的に接続される。
請求項(抜粋):
低電圧アプリケーションのためのパワーモジュールであって、開口したトップと底部および閉じられたリムを有するモールド形成の絶縁ハウジングと、多数の共通平面の導電性パッドおよびそれに接続された導電性リードを含むリードフレームとを備え、リードフレームの導電性リードは導伝性パッドと共に、閉じられたリム内に挿入してモールド化され、そして前記リムの表面外部から突き出させ、そして、リム内部でリードフレームパッドを支持させており、そして、回路を形成するために、導電性パッドを通じ、パワー半導体デバイスを電気的に相互接続させるための多数のワイヤー接続と、実質的に共通の面を持ち、前記モジュールから分離している放熱支持体上に装着できる、リードフレームの導電性パッドの底面と、を有することを特徴とするパワーモジュール。
IPC (4件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/48
FI (3件):
H02M 1/00 R ,  H02M 7/48 Z ,  H01L 25/04 C
引用特許:
審査官引用 (5件)
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