特許
J-GLOBAL ID：200903024549661116

半導体集積回路の検査方法

発明者：
佐々木 智之

佐々木 智之 について

, 
新田 敏也

新田 敏也 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-290895
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126807
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路素子の検査に最適な温度制御を容易に且つ確実に行なえるようにする。【解決手段】 半導体ウェハ12には検査対象の半導体集積回路素子21が形成されており、該集積回路素子の他に、プロセス管理用のTEG24には該半導体ウェハ12の温度を検知するための、互いに異なる導電型の不純物拡散領域が接合されてなるダイオード素子をあらかじめ設けておく。次に、半導体ウェハ12を所定温度にまで加熱した後、所定の入力パターンを有する信号を入力してバーンインを行なう。検査中には、ダイオード素子が出力する電気信号を測定し、測定した結果に基づいて半導体ウェハ12の温度を所定温度に保つように制御する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子の電気的特性をウェハレベルで一括して検査する半導体集積回路の検査方法であって、あらかじめ、前記半導体ウェハに該半導体ウェハの温度を検知する温度検知素子を形成する準備工程と、前記半導体ウェハを所定温度にまで加熱する加熱工程と、前記温度検知素子が出力する電気信号を測定し、測定した電気信号に基づいて前記半導体ウェハの温度を前記所定温度に保つ保温工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 B ,  H01L 21/66 H
引用特許：
審査官引用 (4件)
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