特許
J-GLOBAL ID:200903024550096457
半導体材料のレーザー加工
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
三品 岩男
, 大関 光弘
, 西村 雅子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-549424
公開番号(公開出願番号):特表2004-515365
出願日: 2001年10月26日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
高出力のグリーンレーザーを向けることにより半導体がカットされ、続いてUVビームが向けられる。第一のビームは比較的粗いエッジと高い材料除去率で切断を行い、第二のビームは、少量の材料除去で、要求された仕上がりのためにエッジにおける切断を完成させる。
請求項(抜粋):
加工作業を行うために少なくとも二つのレーザービームを材料に向けるステップを有する、材料の加工方法であって、
前記レーザービームは、異なる光学特性を有する、
ことを特徴とする方法。
IPC (3件):
B23K26/06
, B23K26/00
, H01S3/00
FI (3件):
B23K26/06 A
, B23K26/00 320E
, H01S3/00 B
Fターム (21件):
4E068AE01
, 4E068CA01
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA07
, 4E068CA09
, 4E068CC02
, 4E068CD02
, 4E068CK01
, 4E068DA10
, 5F072AB02
, 5F072JJ20
, 5F072KK05
, 5F072KK12
, 5F072QQ02
, 5F072RR01
, 5F072RR03
, 5F072RR05
, 5F072SS06
, 5F072YY06
, 5F072YY08
引用特許:
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