特許
J-GLOBAL ID:200903024550096457

半導体材料のレーザー加工

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 三品 岩男 ,  大関 光弘 ,  西村 雅子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-549424
公開番号(公開出願番号):特表2004-515365
出願日: 2001年10月26日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
高出力のグリーンレーザーを向けることにより半導体がカットされ、続いてUVビームが向けられる。第一のビームは比較的粗いエッジと高い材料除去率で切断を行い、第二のビームは、少量の材料除去で、要求された仕上がりのためにエッジにおける切断を完成させる。
請求項(抜粋):
加工作業を行うために少なくとも二つのレーザービームを材料に向けるステップを有する、材料の加工方法であって、 前記レーザービームは、異なる光学特性を有する、 ことを特徴とする方法。
IPC (3件):
B23K26/06 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00
FI (3件):
B23K26/06 A ,  B23K26/00 320E ,  H01S3/00 B
Fターム (21件):
4E068AE01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA07 ,  4E068CA09 ,  4E068CC02 ,  4E068CD02 ,  4E068CK01 ,  4E068DA10 ,  5F072AB02 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK05 ,  5F072KK12 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072RR03 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY06 ,  5F072YY08
引用特許:
審査官引用 (12件)
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