特許
J-GLOBAL ID:200903024583407865

トランジスタ回路、画素回路、表示装置及びこれらの駆動方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 晴敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-402673
公開番号(公開出願番号):特開2005-164893
出願日: 2003年12月02日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】 薄膜トランジスタの閾電圧の変動を補正する機能を自ら備えたトランジスタ回路を提供する。【解決手段】 トランジスタ回路は、基板に形成された複数の薄膜トランジスタTr1〜Tr3と、所定の動作を行なう様に各トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とを含む。動作中、薄膜トランジスタTr2には、配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる。動作の妨げとならないタイミングでトランジスタTr2のゲートとソースの間に逆バイアスを印加してその閾電圧の変動を抑制する。具体的には、トランジスタTr2に並列接続した追加トランジスタTr3を補完的に駆動して上記した動作の妨げとならないタイミングを作り出し、該作り出されたタイミングでトランジスタTr2に逆バイアスを印加する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
基板に形成された複数の薄膜トランジスタと、所定の動作を行なう様に各薄膜トランジスタのゲート、ソース又はドレインを接続する配線とを含むトランジスタ回路であって、 動作中少くとも1個配線を介してゲートとソースの間に反復的若しくは持続的に順バイアスがかかる薄膜トランジスタを含むとともに、 該動作の妨げとならないタイミングで当該薄膜トランジスタのゲートとソースの間に逆バイアスを印加して当該薄膜トランジスタの閾電圧の変動を抑制する逆バイアス印加手段を備えたことを特徴とするトランジスタ回路。
IPC (4件):
G09G3/30 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  H05B33/14
FI (7件):
G09G3/30 J ,  G02F1/133 505 ,  G09G3/20 611H ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 670J ,  G09G3/20 670K ,  H05B33/14 A
Fターム (20件):
2H093NC02 ,  2H093NC16 ,  2H093ND60 ,  2H093NE01 ,  3K007AB02 ,  3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  3K007GA04 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080DD29 ,  5C080FF07 ,  5C080FF11 ,  5C080HH09 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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