特許
J-GLOBAL ID：200903024586957920

半導体装置

発明者：
佐藤 憲

佐藤 憲 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-116065
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267155
出願日： 2008年04月25日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】窒化物系半導体機能層に生成される二次元キャリアガスチャネルにおいてキャリア密度及び電界をキャリア走行方向に変調する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置(HEMT)1において、第1の窒化物系半導体領域21上にヘテロ接合により配設された第2の窒化物系半導体領域22を有し、第1の窒化物系半導体領域21のヘテロ接合近傍に二次元キャリアガスチャネル23を有する窒化物系半導体機能層2と、第2の窒化物系半導体領域22上に互いに離間して配設された第1の主電極3及び第2の主電極4と、第2の窒化物系半導体領域22上に配設され、第1の主電極3と第2の主電極と4の間において第2の窒化物系半導体領域22の複数箇所にそれぞれ異なる応力を与えるパッシベーション膜10とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の窒化物系半導体領域上にヘテロ接合により配設された第2の窒化物系半導体領域を有し、前記第1の窒化物系半導体領域の前記ヘテロ接合近傍に二次元キャリアガスチャネルを有する窒化物系半導体機能層と、 前記第2の窒化物系半導体領域上に互いに離間して配設された第1の主電極及び第2の主電極と、 前記第2の窒化物系半導体領域上に配設され、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間において前記第2の窒化物系半導体領域の複数箇所にそれぞれ異なる応力を与えるパッシベーション膜と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
Fターム (25件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104GG03 ,  5F102FA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM