特許
J-GLOBAL ID：200903024614894395

半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システム

発明者：
内田 護

内田 護 について

, 
黒田 亮

黒田 亮 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142727
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332354
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】高効率で、アレイ化可能で、作製の容易な半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システムである。【解決手段】半導体近接場光源は、化合物半導体基板11上に、面発光レーザ構造12の化合物半導体層を有し、化合物半導体層表面に三角錐構造の化合物半導体層15を有し、三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口13を有する。面発光レーザの発振光が微小開口13に導かれて近接場光を発生する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に、面発光レーザ構造の化合物半導体層を有し、該化合物半導体層表面に三角錐構造の化合物半導体層を有し、該三角錐構造の頂点近傍に該面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口を有し、該面発光レーザの発振光が該微小開口に導かれて近接場光を発生することを特徴とする半導体近接場光源。
IPC (5件)：
H01S 5/18 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/24 ,  H01L 21/027 ,  H01S 5/20
FI (5件)：
H01S 5/18 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/24 H ,  H01S 5/20 ,  H01L 21/30 527
Fターム (18件)：
2H097AA16 ,  2H097CA03 ,  2H097CA17 ,  2H097GA45 ,  2H097LA10 ,  5F046CA03 ,  5F046CA09 ,  5F046CA10 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA01 ,  5F073CB05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA26 ,  5F073EA19 ,  5F073FA16 ,  5F073FA21
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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