GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタ及びその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-191934
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032713
出願日： 2007年07月24日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ヘテロ接合構造に形成されたチャンネル内の電子が加速された場合に、容易に表面準位にトラップされないようにすることである。またトラップされた電子が容易に戻れるようにすることである。【解決手段】ドレインとゲートの間又はゲートとソースの間の半導体表面に、In及びN並びに、Al及び/又はGaを含有し、格子定数がGaN結晶よりも大きいキャップ層を有する、GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドレインとゲートの間又はゲートとソースの間の半導体表面に、In及びN並びに、Al及び/又はGaを含有し、格子定数がGaN結晶よりも大きいキャップ層を有する、GaNをチャネル層とする窒化物半導体トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (32件)：

5F102FA01 , 5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN10 , 5F102GQ01 , 5F102GQ04 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV09 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC04 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (2件)

自動二輪車用ラジアルタイヤ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-197692 出願人：住友ゴム工業株式会社
米国特許出願第2005/0077541号公開明細書

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196749 出願人：日本電気株式会社
電界効果型化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164908 出願人：富士通株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-298241 出願人：国立大学法人名古屋大学

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