特許
J-GLOBAL ID：200903024635194520

エッチング後の洗浄処理法

発明者：
ローラ・ウィルス・ミルカリミ

ローラ・ウィルス・ミルカリミ について

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ステファン・アール・ギルバート

ステファン・アール・ギルバート について

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グオキアン・ジン

グオキアン・ジン について

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スコット・サマーフェルト

スコット・サマーフェルト について

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トモユキ・サコダ

トモユキ・サコダ について

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テッド・モイス

テッド・モイス について


出願人/特許権者：
アジレント・テクノロジーズ・インク

アジレント・テクノロジーズ・インク について


代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-250341
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151484
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】FeRAM積層構造において、PZTのタ ゙メーシ ゙領域の除去に極めて効果的であり、且つ他の構成要素に害を及ぼさないように高い選択性を持つ、エッチンク ゙後の洗浄処理法の提供。【解決手段】本発明は、FeRAM等の半導体テ ゙ハ ゙イスに対するエッチンク ゙後の洗浄処理(20)に関する。この処理は、フッ素化合物と塩素化合物の両方を含むエッチンク ゙液を用意することと、ウエット洗浄工程においてこのエッチンク ゙液を半導体テ ゙ハ ゙イスに適用することとを含む。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスのエッチング後の洗浄処理法(20)であって、フッ素化合物と塩素化合物の両方を含むエッチング液を用意するステップと、及び、ウエット洗浄工程において前記エッチング液を前記半導体デバイスに適用するステップとを含む処理法。
IPC (3件)：
H01L 21/308 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
H01L 21/308 C ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 27/10 444 C
Fターム (16件)：
5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043GG10 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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