特許

J-GLOBAL ID：200903024635601975

窒化物半導体素子

発明者： 堺 智映
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113051
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307149
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 Vfを低下することが可能な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 活性層7が、井戸層にInを含んでなる量子井戸構造であり、該活性層7上に順に、Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり更に第1及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層8又はAlGaNを含んでなりp型不純物を含有するp型単一膜層8と、前記p型多層膜層8及びp型単一膜層8より高濃度でp型不純物を含有するp型高濃度ドープ層10と、前記p型多層膜層8及びp型単一膜層8より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層10より低濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層11を少なくとも有する。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、井戸層にInを有する窒化物半導体を含んでなる量子井戸構造であり、該活性層上に、Alを含んでなる第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、さらに前記第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層の少なくとも一方にp型不純物を含有してなるp型多層膜層、該p型多層膜層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より高濃度でp型不純物を含有するp型高濃度ドープ層、該p型高濃度ドープ層上に、前記p型多層膜層のp型不純物濃度より高濃度で且つ前記p型高濃度ドープ層のp型不純物濃度より低濃度でp型不純物を含有するp型コンタクト層を、少なくとも順に有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677

Fターム (11件)：

5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166174   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-187070   出願人：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-252896   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227835   出願人：松下電器産業株式会社