特許
J-GLOBAL ID：200903070282608271
化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-166174
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017222
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 ダブルヘテロ接合構造を有する化合物半導体発光素子において、n形発光層の直上に直接配置するp形接合層から熱拡散により侵入するアクセプター不純物によるn形発光層の伝導形の変化(反転)と界面特性の不安定性が、発光強度等の素子特性の向上の妨げとなっている点を解決する。【解決手段】 インジウムを含有するIII 族窒化物半導体からなるn形発光層と、該n形発光層の上に配置されたp形のIII 族窒化物半導体層との中間に、n形発光層に接してn形のIII 族窒化物半導体からなる介在層、且つ、前記介在層とp形のIII 族窒化物半導体層との中間に、p形のIII 族窒化物半導体からなる中間層を配置する。
請求項（抜粋）：
n形発光層と、該n形発光層の上下にそれぞれ配置したn形及びp形のIII 族窒化物半導体層とから構成されるダブルヘテロ接合構造を発光部とする化合物半導体素子に於いて、n形発光層がインジウムを含有するIII 族窒化物半導体からなり、該n形発光層とp形層との中間に、n形発光層に接してn形のIII 族窒化物半導体からなる介在層を有し、且つ、前記介在層とp形のIII 族窒化物半導体層との中間に、p形のIII 族窒化物半導体からなる中間層を有することを特徴とする化合物半導体発光素子。
引用特許：
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