特許
J-GLOBAL ID：200903024650512121
ガスデポジション法のための原料ガス供給方法及び供給装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-184112
公開番号（公開出願番号）：特開2006-009055
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 真空系内への導入ガスによる真空度の低下等に起因する電子線源等の粒子線源への上記のような悪影響を排除し、特に走査型あるいは透過型の電子顕微鏡に適用した場合にも通常の電子顕微鏡に改造を加えることなく、原料ガスの供給を行うことができる、粒子線を用いたガスデポジション法における原料ガス供給方法及び供給装置を提供する。【解決手段】 構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを基板材料上に流しながら、粒子線を基板材料上の所望位置に向かって照射することにより、基板材料上に微細構造物を作製するガスデポジション法のための原料ガス供給方法であって、穴を有する容器内に、構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを発生する固体物質を入れ、固体物質を入れた容器を基板材料の近傍に配置し、容器の穴から基板材料上に原料ガスを供給することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを基板材料上に流しながら、粒子線を基板材料上の所望位置に向かって照射することにより、基板材料上に微細構造物を作製するガスデポジション法のための原料ガス供給方法であって、
穴を有する容器内に、構造物の原料となる元素を含んだ原料ガスを発生する固体物質を入れ、
固体物質を入れた容器を基板材料の近傍に配置し、
容器の穴から基板材料上に原料ガスを供給することを特徴とする原料ガス供給方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
4K030AA12
, 4K030BA20
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030FA12
, 4K030JA10
, 4K030KA49
