基板除電方法、気相堆積装置、半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-326103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134489
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】静電チャックを使った半導体装置の製造方法において、被処理基板の処理後の除電を迅速かつ完全に行い、基板の静電チャックからの取り外し時に生じる損傷を最小化する。【解決手段】静電チャック100は絶縁層103で電極101を挟持した構造を有し、絶縁層は1010Ω・cm以下の体積抵抗率を有するAlN・TiC等の焼結体からなる。静電吸着された被処理基板105に対して絶縁膜を形成した後、静電吸着を解除し被処理基板を静電チャックからプッシャーピン106により持ち上げる工程を、プラズマの存在下において行う。

請求項（抜粋）：

静電チャック上にて処理された被処理基板を除電する基板除電方法であって、静電チャック上に静電吸着された被処理基板に対して絶縁膜を形成する工程の後、前記静電チャックによる前記被処理基板の静電吸着を解除する工程と、前記静電チャック中に設けられた可動部材を駆動して、前記被処理基板を前記静電チャックから持ち上げる工程とよりなり、前記被処理基板を前記静電チャックから持ち上げる工程は、プラズマの存在下において実行されることを特徴とする基板除電方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/31 C , H01L 21/68 R

Fターム (34件)：

5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA16 , 5F031HA33 , 5F031HA35 , 5F031HA37 , 5F031HA39 , 5F031MA28 , 5F031PA21 , 5F045AA08 , 5F045AB06 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AC17 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE17 , 5F045BB16 , 5F045EB08 , 5F045EF20 , 5F045EG01 , 5F045EH05 , 5F045EH07 , 5F045EH14 , 5F045EH20 , 5F045EM05 , 5F045EM09 , 5F045EM10 , 5F045EN04 , 5F045HA11

引用特許：

審査官引用 (7件)

CVD膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-329785 出願人：ソニー株式会社
被処理体の離脱方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-139153 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-189990 出願人：株式会社日立製作所

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