特許
J-GLOBAL ID:200903024736531358

埋め込みエッチング停止層を用いた多段構造の製作方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-354057
公開番号(公開出願番号):特開2000-181076
出願日: 1999年12月14日
公開日(公表日): 2000年06月30日
要約:
【要約】【課題】 音響インク印刷用フレネルレンズなどの多段の微細リソグラフィック構造において、経済的で信頼性の高い製作方法が必要である。【解決手段】 本発明の一態様による製作方法では、公知の方法でフレネルレンズ材であるSiON層602,606,610をそれぞれ堆積した後、堆積された材料の化学組成を選択的に変化させることにより、中間エッチング停止層604,608が適当な位置に形成される。この工程の間に堆積工程が遮られることはない。この後、マスキング、パターニング、およびエッチングの各手法を用いて、前記構造すなわちレンズが形成される。この製作方法では、所望の均一性を得ることが容易になり、不均等な段高さが許容されると共に、エッチング領域の選択性とエッチング停止層の厚さに対する要求の度合いを緩和することができる。
請求項(抜粋):
n相微細リソグラフィ構造の形成方法であって、(a)第一の比率で混合された複数の化合物を含み、第一の速度でエッチングされる第一の材料層の堆積工程と、(b)前記複数の化合物の第一の比率を変化させて、第二の比率で混合された複数の化合物を含み、前記第一の速度より遅い第二の速度でエッチングされる第二の材料を得る工程と、(c)前記第一の材料層上に前記第二の材料層を堆積する工程と、(d)前記第二の比率を変化させて前記第一の材料を得る工程と、(e)前記第二の材料層上にもう一つの第一の材料層を堆積する工程と、(f)(b)から(e)までの工程を(n-3)回繰り返してブロックを形成する工程と、(g)前記ブロックに選択的にマスキングおよびエッチングを施してn相構造を形成する工程と、を含むことを特徴とするn相微細リソグラフィ構造の形成方法。
IPC (4件):
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/306
FI (4件):
G03F 7/26 511 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/306 D
引用特許:
審査官引用 (11件)
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