特許
J-GLOBAL ID：200903024742781781
電子放出陰極
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207625
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093305
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 FED(Field Emission Display)に好適な放出開始電圧の低い電子放出陰極を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、平均粒径が例えば、数十nm〜数百nmのダイヤモンドの超微粒子2を配置形成し、カソードアーク法を用いて、sp2結合を有する炭素膜5上にsp3結合を有する炭素膜6が積層された複合炭素膜4を形成し、実質的に仕事関数が非常に低いこの複合炭素膜4によって電子放出性能を向上させて放出開始電圧を低減している。
請求項（抜粋）：
sp2結合を有する炭素上にsp3結合を有する炭素膜が積層された積層構造が、基板上に突出して形成されることを特徴とする電子放出陰極。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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