特許
J-GLOBAL ID：200903024768896587
反射防止膜形成用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022674
公開番号（公開出願番号）：特開2001-343752
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】反射光に対して吸収能が高く、エッチングレートが高く反射防止膜を厚膜にし基板上の段差を平坦化しても形状に優れたレジストパターンが容易に形成でき、かつ現像液に対しても充分な耐性を有する反射防止膜を形成できる反射防止膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】(A)(i)一般式(1)、(2)、(3)(1)Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d(2)R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g(3)R9R10Si(OR11)h(OR12)iで表わされる化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、(B)(A)成分と縮合でき、かつ露光光に対して吸収能を有する熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(i)一般式化1【化1】Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、a、b、c及びdは、0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4であって、かつa+b+c+d=4の条件を満たす整数である)で表わされる化合物、(ii)一般式化2【化2】R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g(式中、R5は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R6、R7及びR8はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、e、f及びgは、0≦e≦3、0≦f≦3、0≦g≦3であって、かつe+f+g=3の条件を満たす整数である)で表わされる化合物及び(iii)一般式化3【化3】R9R10Si(OR11)h(OR12)i(式中、R9及びR10は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、h及びiは、0≦h≦2、0≦i≦2であって、かつh+i=2の条件を満たす整数である)で表わされる化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、(B)(A)成分と縮合でき、かつ露光光に対して吸収能を有する熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
IPC (9件)：
G03F 7/11 503
, C08K 5/00
, C08K 5/5415
, C08L101/00
, C09D 5/00
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D201/00
, H01L 21/027
G03F 7/11 503
, C08K 5/00
, C08K 5/5415
, C08L101/00
, C09D 5/00 Z
, C09D183/02
, C09D183/04
, C09D201/00
, H01L 21/30 574
