特許
J-GLOBAL ID：200903038878692775
反射防止膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-092122
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】ドライエッチング速度がホトレジストに比べて速い反射防止膜形成用組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)一般式化1Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基)で表わされる化合物、(ii)一般式化2R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g(式中、R5は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R6、R7及びR8はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基)で表わされる化合物及び(iii)一般式化3R9R10Si(OR11)h(OR12)i(式中、R9及びR10は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基)で表わされる化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、(B)前記(A)成分と縮合し得る置換基をその構造中に有する少なくとも1種の高吸光性物質を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(i)一般式化1【化1】Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、a、b、c及びdは、0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4であって、かつa+b+c+d=4の条件を満たす整数である)で表わされる化合物、(ii)一般式化2【化2】R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g(式中、R5は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R6、R7及びR8はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、e、f及びgは、0≦a≦3、0≦b≦3、0≦c≦3、0≦d≦3であって、かつe+f+g=3の条件を満たす整数である)で表わされる化合物及び(iii)一般式化3【化3】R9R10Si(OR11)h(OR12)i(式中、R9及びR10は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、h及びiは、0≦h≦2、0≦i≦2であって、かつh+i=2の条件を満たす整数である)で表わされる化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物、(B)前記(A)成分と縮合し得る置換基をその構造中に有する少なくとも1種の高吸光性物質を含有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 506
, G03F 7/11 503
, H01L 21/027
G03F 7/004 506
, G03F 7/11 503
, H01L 21/30 574
2H025AA00
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025DA34
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H025FA41
, 5F046PA01
, 5F046PA02
, 5F046PA09
